摘要：本文围绕二手东京电子 CELESTA 晶圆清洗机台，详细阐述其结构组成、工作原理，并对基于该设备的晶圆清洗方法展开研究，分析机台与清洗方法的适配性，为半导体制造企业高效利用二手设备提供技术参考。

一、引言

在半导体产业蓬勃发展的当下，晶圆清洗是保障芯片性能的关键环节。二手东京电子 CELESTA 晶圆清洗机台凭借其可靠的性能与成本优势，在行业内得到广泛应用。深入探究其设备特性与清洗方法，有助于提升晶圆清洗质量与生产效率，降低企业生产成本。

二、二手东京电子 CELESTA 晶圆清洗机台

2.1 机台结构组成

二手 CELESTA 晶圆清洗机台主要由清洗腔室、液体输送系统、晶圆传输机构、控制系统以及废气处理单元构成。清洗腔室作为核心部件，采用特殊耐腐蚀材料，可耐受多种化学清洗液；液体输送系统能够精确控制清洗液、去离子水等液体的流量与浓度；晶圆传输机构可实现晶圆的精准抓取、放置与传送；控制系统实时监控机台运行状态，调节各项参数；废气处理单元则对清洗过程中产生的有害气体进行净化处理，确保生产环境安全。

2.2 工作原理

该清洗机台通过物理作用与化学作用协同实现晶圆清洗。物理方面，利用液体喷淋、超声波震荡等方式，增强清洗介质与晶圆表面的接触，促使污染物脱离；化学方面，液体输送系统提供的各类清洗液与晶圆表面的颗粒、有机物、金属离子等污染物发生化学反应，将其溶解或转化为易去除物质，最终通过冲洗排出，完成清洗过程。

三、基于 CELESTA 机台的晶圆清洗方法

3.1 湿法清洗

3.1.1 RCA 清洗工艺

在 CELESTA 机台上实施 RCA 清洗工艺，分两步进行。首先，使用由氨水、过氧化氢和去离子水混合而成的 RCA - 1 溶液，去除晶圆表面的颗粒、有机物及部分金属离子，机台的液体输送系统精准调配溶液比例，同时配合超声辅助，加速反应进程。其次，利用盐酸、过氧化氢和去离子水的 RCA - 2 溶液，进一步去除残留金属离子，整个过程由控制系统严格把控清洗时间与温度，保障清洗效果。

3.1.2 酸性清洗

针对特定金属污染物，机台可采用酸性清洗液，如氢氟酸与硝酸的混合溶液。通过液体输送系统将酸性溶液输送至清洗腔室，与金属污染物发生化学反应，使其溶解并随冲洗液排出，有效去除晶圆表面的金属杂质。

3.2 干法清洗

3.2.1 等离子体清洗

机台配备等离子体发生装置，通过射频电源激发气体产生等离子体。等离子体中的高能粒子与晶圆表面的光刻胶、有机物等污染物发生反应，将其分解为挥发性物质，经抽气系统排出，实现无化学溶液的晶圆表面清洁，尤其适用于对化学腐蚀敏感的晶圆。

3.2.2 紫外线清洗

利用机台内置的紫外线光源，照射晶圆表面，使污染物发生光化学反应，改变其物理化学性质，再通过后续吹扫等操作将分解产物去除，达到清洗目的，该方法对环境友好，且对晶圆损伤较小。

四、机台与清洗方法的适配性分析

二手 CELESTA 晶圆清洗机台的结构设计与功能配置，为多种清洗方法提供了实现基础。其液体输送系统与湿法清洗方法紧密适配，能精准控制清洗液参数；等离子体发生装置和紫外线光源等部件，则为干法清洗创造了条件。同时，不同清洗方法需依据机台的性能特点及晶圆的污染类型、材质特性等因素合理选择，以实现最佳清洗效果。

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