有机硅工业化制备高剪切设备，UV固化有机硅制备纳米/微米和15000转高速乳化机 ，UV固化有机硅制备纳米/微米高速乳化机 。有机硅制备纳米/微米微球高速乳化机 

UV固化有机硅制备纳米/微米和15000转高速乳化机 ，UV固化有机硅制备纳米/微米高速乳化机 。有机硅制备纳米/微米微球高速乳化机 有机硅烷水解 加碱进行缩合

有机硅微米或纳米粒子的制备主要是通过将有机硅烷水解完全后加碱进行缩合，进 而生成纳米或微米正球型粒子，再经过滤、烘干完成制备。球形粒子的粒径及其分布只能 通过硅烷与水的比例以及碱的加入比例进行间接调整，波动很大，尤其批次生产量较大的时 候，不利于稳定控制。

1.将具有UV固化特征的可UV 固化有机硅与合适的光引发剂混合均匀作为油相，

2.将含有隔离剂的水混合均 匀作为水相，将 油相加入到水相中进行乳化剪切，乳液至期望的粒径和分布(目标粒径)后，

3.引入UV(紫外 光)对乳液进行照射固化

4.再经过滤、烘干或直接气流、喷雾干燥制得有机硅纳米/微米粒子；

影响分散乳化结果的因素有以下几点

1 乳化头的形式（批次式和连续式）（连续式比批次好）

2 乳化头的剪切速率 （越大，效果越好）

3 乳化头的齿形结构（分为初齿，中齿，细齿，chao细齿，约细齿效果越好）

4 物料在分散墙体的停留时间，乳化分散时间（可以看作同等的电机，流量越小，效果越好）

5 循环次数（越多，效果越好，到设备的期限，就不neng zai好）

线速度的计算

剪切速率的定义是两表面之间液体层的相对速率。

– 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s) g 定-转子 间距 (m)

由上可知，剪切速率取决于以下因素：

– 转子的线速率

– 在这种请况下两表面间的距离为转子-定子 间距。 IKN 定-转子的间距范围为 0.2 ~ 0.4 mm

速率V= 3.14 X D（转子直径）X 转速 RPM / 60

1 表中上限处理量是指介质为“水”的测定数据。

2 处理量取决于物料的粘度，稠度和#终产品的要求。

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