本仪器采用两种材料的传感器：砷化镓（GaAS）霍尔传感器和锑化铟（InSb）传感器，可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点，可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验.

技术参数：

1、励磁恒流源：0～1.0A连续可调，分辨率1mA，三位半数字显示；

2、恒流输出电流：0～10mA，连续可调，三位半数字显示；

3、电压表：量程0～1.9999V，分辨率0.1mV；，四位半数字显示，

4、交流励磁电压VP-P≥12V ,频率＜10HZ；

5、电磁铁，缝隙约5mm；

6、移动尺装置：横向移动距0～40mm；

7、仪器采用进口多圈电位器；

8、励磁电流采用六脚船型换向开关.

实验内容：

1、测量霍尔电压与霍尔电流的关系；

2、测量霍尔电压与励磁电流的关系；

3、测量电磁铁气隙处X方向磁场强度的分布；

4、测量磁感应强度；

5、研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线；

6、观察磁阻元件的倍频效应。

重量约10kg左右

本仪器采用两种材料的传感器：砷化镓（GaAS）霍尔传感器和锑化铟（InSb）传感器，可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点，可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验.

技术参数：

1、励磁恒流源：0～1.0A连续可调，分辨率1mA，三位半数字显示；

2、恒流输出电流：0～10mA，连续可调，三位半数字显示；

3、电压表：量程0～1.9999V，分辨率0.1mV；，四位半数字显示，

4、交流励磁电压VP-P≥12V ,频率＜10HZ；

5、电磁铁，缝隙约5mm；

6、移动尺装置：横向移动距0～40mm；

7、仪器采用进口多圈电位器；

8、励磁电流采用六脚船型换向开关.

实验内容：

1、测量霍尔电压与霍尔电流的关系；

2、测量霍尔电压与励磁电流的关系；

3、测量电磁铁气隙处X方向磁场强度的分布；

4、测量磁感应强度；

5、研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线；

6、观察磁阻元件的倍频效应。

霍尔效应与磁阻效应组合实验仪 霍尔效应与磁阻效应组合实验仪 霍尔效应与磁阻效应组合实验仪 霍尔效应与磁阻效应组合实验仪 

重量约10kg左右