SENIS磁场传感器F3A系列产品介绍

F3A磁场传感器完全集成3轴霍尔探头。

霍尔探头包含一个CMOS集成电路，它包含三组相互正交的霍尔元件，偏置电路，放大器，

和温度传感器。集成的霍尔元件只有非常小的面积（150μm×150μm），探头具有非常高的空间分辨率。 CMOS IC技术可以在垂直和水平霍尔元件的制造中实现非常高的，从而提供探头的三个测量轴的高角度（正交误差<0.1°）。旋转电流技术在霍尔元件偏置中的应用抑制了平面霍尔效应。片上信号预处理可实现探头的极高频率带宽（DC至25 kHz）;并且片上信号放大提供霍尔探头的高输出信号，这使得传感器免受电磁干扰。

霍尔探头与电子盒连接（图1中的模块E）。模块E为霍尔探头提供偏置，并对其进行额外调节霍尔探头输出信号：放大，线性化，抵消偏移，温度变化补偿和频率带宽限制。

F3A磁传感器的输出可在模块E的连接器CoS处获得：这些是与磁通量的每个测量组件成比例的高电平差分电压密度;以及与探头温度成比例的接地参考电压。

产品特性

1.      完全集成的CMOS 3轴（Bx，By，Bz）霍尔探头，可以使用其中的一个，两个或三个通道

2.      非常高的空间分辨率（By：0.03 x 0.005 x 0.03mm 3; Bx和Bz：0.15 x 0.01 x 0.15 mm 3）

3.      高角度（正交误差小于0.1°）

4.      几乎没有平面霍尔效应?

5.      高带宽（从DC到25kHz）

6.      高抗干扰性

7.      探头上的感应回路可忽略不计

8.      探头上的集成温度传感器用于温度补偿

典型应用

1.      永磁铁的性能与质量控制

2.      磁铁系统的研发

3.      磁场映射

4.      磁铁的质量控制和监控 （发电机，电动机等）

5.      在实验室和生产线中应用

 SENIS模拟高斯计F3A系列产品介绍

F3A磁场传感器完全集成3轴霍尔探头。

霍尔探头包含一个CMOS集成电路，它包含三组相互正交的霍尔元件，偏置电路，放大器，

和温度传感器。集成的霍尔元件只有非常小的面积（150μm×150μm），探头具有非常高的空间分辨率。 CMOS IC技术可以在垂直和水平霍尔元件的制造中实现非常高的，从而提供探头的三个测量轴的高角度（正交误差<0.1°）。旋转电流技术在霍尔元件偏置中的应用抑制了平面霍尔效应。片上信号预处理可实现探头的极高频率带宽（DC至25 kHz）;并且片上信号放大提供霍尔探头的高输出信号，这使得传感器免受电磁干扰。

霍尔探头与电子盒连接（图1中的模块E）。模块E为霍尔探头提供偏置，并对其进行额外调节霍尔探头输出信号：放大，线性化，抵消偏移，温度变化补偿和频率带宽限制。

F3A磁传感器的输出可在模块E的连接器CoS处获得：这些是与磁通量的每个测量组件成比例的高电平差分电压密度;以及与探头温度成比例的接地参考电压。

磁场传感器产品特性

1.      完全集成的CMOS 3轴（Bx，By，Bz）霍尔探头，可以使用其中的一个，两个或三个通道

2.      非常高的空间分辨率（By：0.03 x 0.005 x 0.03mm 3; Bx和Bz：0.15 x 0.01 x 0.15 mm 3）

3.      高角度（正交误差小于0.1°）

4.      几乎没有平面霍尔效应?

5.      高带宽（从DC到25kHz）

6.      高抗干扰性

7.      探头上的感应回路可忽略不计

8.      探头上的集成温度传感器用于温度补偿

典型应用

1.      永磁铁的性能与质量控制

2.      磁铁系统的研发

3.      磁场映射

4.      磁铁的质量控制和监控 （发电机，电动机等）

5.      在实验室和生产线中应用