品牌：Engis 

化合物半导体（GaAs/InP）背面减薄工艺设备 

应用领域：GaAs，InP 

设备特点： 

上蜡后将陶瓷盘放入压片机真空腔内进行压片，并将Wafer不陶瓷盘间隙内空气排空 

真空腔内设有硅胶垫，上片均匀性理想 

配合冷水机使用，缩短上片时间 

手动贴蜡机： 

设备的设计理念及特征 

将陶瓷盘加热，在陶瓷盘上均匀涂上固体蜡，将InP　晶圆均匀粘贴在陶瓷盘上。 

并将上部的冲压头靠气缸压力来压着粘有晶片的陶瓷盘，让InP　晶圆牢固粘贴在陶瓷盘上。 

主要规格： 

设备型号EBM-200-1AL-TC 

粘贴压力MAX　100kgf　at　0.25MPa　Silicon　Pad 

粘贴尺寸MAX　OD　200mm 

腔U/D　气缸Pneumatic　ram　OD63　Stoke：170mm 

腔真空真空发生器 

冷却不锈钢水管套 

时间控制真空和压力 

尺寸400mm（W）300mm（D）730mm（H） 

重量约100kg 

特点： 

水冷系统用冷水机控制水温 

时间控制系统采用电动气阀 

真空腔用真空发生泵 

硅胶加压PAD　晶圆TTV，BOW，WARP　稳定性高 

设备要求： 

真空0.6　MPa 

选配： 

1，冷水机；2，加热台EC-1200N；3，ENGIS　固体蜡；4，陶瓷盘