四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1
价格:电议
地区:北京市
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手 机:18101382572

四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1

(1)仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

(2)范:电阻率10-5~10+3欧姆·厘米,辨率为10-4欧姆·厘米

方块电阻10-4~10+4欧姆/□,小辨率为10-3欧姆/□

(3)可测量材料:半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等

可准确测量的半导体尺寸:直径≥20㎜

可测量的半导体尺寸:直径≥8㎜

(4)测量方式:平面测量。

(5)电压表:双数字电压表,可同时观察电流、电压变化

A.电流表量程0~199.99 mV,电压表量程0~19.999 mV

B.电压灵敏度:1μv和10μv

C.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)

D.输入阻抗﹥1000MΩ

E. 4 1/2位数字显示,0~19999

(6)恒流源:

A.电流输出:直流电流0.003~100 mA连续可调,由交流电源供给

B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五档

C.恒流源:各档均≤±0.05%

(7)四探针测试

测量电阻率的小游移探针头,实用号ZL 03 2 74755.1。使用几何尺寸十的红宝石轴承,量具的硬质合金探针,在宝石导孔内运动,持久,高。

A.间距1.59㎜

B.探针机械游率:±0.3%

C.探针直径0.8㎜

D.探针材料:碳化钨,探针间及探针与其他部之间的缘电阻大于109欧姆。

(8)手动测试架:KDJ-1A 型手动测试架由手动操作,可以用作断面单晶棒和硅片测试,探针头可移动距离:120mm,测试台面200x200(mm)。

(9)

电器:1-1000欧姆≤0.3 %

整机测量:1-500欧姆·厘米≤3%

(10)电流:220V±10%,50HZ,功率消耗﹤35W

四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1四探针电阻率仪 型号:KD09-KDY-1

(1)仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

(2)范:电阻率10-5~10+3欧姆·厘米,辨率为10-4欧姆·厘米

方块电阻10-4~10+4欧姆/□,小辨率为10-3欧姆/□

(3)可测量材料:半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等

可准确测量的半导体尺寸:直径≥20㎜

可测量的半导体尺寸:直径≥8㎜

(4)测量方式:平面测量。

(5)电压表:双数字电压表,可同时观察电流、电压变化

A.电流表量程0~199.99 mV,电压表量程0~19.999 mV

B.电压灵敏度:1μv和10μv

C.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)

D.输入阻抗﹥1000MΩ

E. 4 1/2位数字显示,0~19999

(6)恒流源:

A.电流输出:直流电流0.003~100 mA连续可调,由交流电源供给

B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五档

C.恒流源:各档均≤±0.05%

(7)四探针测试

测量电阻率的小游移探针头,实用号ZL 03 2 74755.1。使用几何尺寸十的红宝石轴承,量具的硬质合金探针,在宝石导孔内运动,持久,高。

A.间距1.59㎜

B.探针机械游率:±0.3%

C.探针直径0.8㎜

D.探针材料:碳化钨,探针间及探针与其他部之间的缘电阻大于109欧姆。

(8)手动测试架:KDJ-1A 型手动测试架由手动操作,可以用作断面单晶棒和硅片测试,探针头可移动距离:120mm,测试台面200x200(mm)。

(9)

电器:1-1000欧姆≤0.3 %

整机测量:1-500欧姆·厘米≤3%

(10)电流:220V±10%,50HZ,功率消耗﹤35W


是否全新:

全新

测量方式:

平面测量

输入阻抗:

﹥1000MΩ

量程:

10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五档

探针机械游率:

±0.3%