东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（-MOSIV）2SK3565开关稳压器应用

低漏源导通电阻：RDS（ON）= 2.0

?高正向转移导纳（典型值）：| YFS | = 4.5 S（典型值）

?低漏电流：IDSS = 100 A（VDS = 720 V）

?增强模式：Vth的= 2.0?4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）的

额定值（Ta = 25°C）

东芝2SK3565特性符号额定值单位

漏源电压VDSS 900 V漏极 - 栅极电压（RGS = 20kΩ的）VDGR 900 V栅源电压VGSS±30 V DC（注1）ID 5漏极电流脉冲（T = 1毫秒）（注1）IDP 15疏功耗（TC = 25°C）PD 45 W单脉冲雪崩能量（注2）EAS 595兆焦耳雪崩电流IAR 5 A重复雪崩能量（注3）EAR 4.5兆焦耳沟道温度Tch 150°C保存温度Tstg -55?150℃