N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVD8N60F
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地区:广东 深圳市
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SVD8N60T/F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,有TO-220-3L和TO-220F-3L俩种封装,采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造,先进的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻,优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。