简介:
DP8205 是双路增强型的N 沟道
MOSFET。连续电流可达7A. 耐压可达
20V。据有低漏电流，低导通电阻等
特点。
DP8205 典型导通内阻为20mR @
4.5v。为小型TSSOP8/SOT23-6 封装，
内部两管的D级已连通在一起，方便
应用。

特征:
Ø GS 间电压：±12V
Ø GS 间漏电流：<100nA
Ø 低导通电阻：4.5v 时典型19mR,
    2.5v 时典型25mR
Ø DS 间耐压：20V
Ø DS 间漏电流：<1uA
Ø 控制启动电压：典型0.7v
Ø DS 连续电流：可达7A
Ø 内部二级管压降：<1.2V

应用:
Ø DC-DC 转换器
Ø 锂电池保护板
Ø MP3,MP4,GPS
Ø 移动电源

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