IRF730-MOS管-场效应管-MOSFET

概述
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

产品特性：

热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范

主要参数：

漏-源电压VDS≥400V  漏极电流ID=5.5A 导通电阻RDS≤1ohm