BFR520

简介

BFR520硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片原产于PHILIPS，现在国内也有公司生产。目前我司有高频微波三极管系列，还包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品相同。

BFR520参数

类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管   

　　集电极-发射极电压VCEO：15V

集电极-基极电压VCBO:20V

发射极-基极电压VEBO:2.5V

集电极直流电流IC:120mA

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW

工作结温Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

封装形式：SOT-23

功率特性：中功率

极性：NPN型

结构：扩散型

材料：硅(Si)

封装材料：塑料封装

电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V

直流放大系数hFE: 40～250 @VCE=8V,IC=40mA

集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)

发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)

特征频率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA

集电极允许电流IC：0.12（A）

集电极允许耗散功率PT：0.5（W）

功率增益GUM：14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

噪声系数NF：1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

插入功率增益∣S21∣：13dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz

反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。