数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

IRLML2502PbF

SOT-23

IR Hexfet Micro-3, SOT-23

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

45 毫欧 @ 4.2A, 4.5V

20V

4.2A

1.2V @ 250µA

12nC @ 5V

740pF @ 15V

1.25W

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Micro3™/SOT-23

带卷 (TR)