來扬SRAM产品结构：

　　在半导体科技极为发达的台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory,DRAM）。基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1,这就是一个二进制位元（bit），内存的单位。

　　DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。

　　來扬SRAM分类：

　　按存储介质

　　存储器

　　半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。

　　磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。

　　按存储方式：

　　随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。

　　顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。

　　按读写功能：

　　只读存储器（ROM）：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。

　　随机读写存储器（RAM）：既能读出又能写入的半导体存储器。

　　按信息保存性：

　　非记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。

　　记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。

　　按用途：

　　根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。

　　为了解决对存储器要求容量大，速度快，成本低三者之间的矛盾，通常采用多级存储器体系结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。

　　用途特点：

　　高速缓冲存储器Cache 高速存取指令和数据存取速度快，但存储容量小

　　主存储器内存存放计算机运行期间的大量程序和数据存取速度较快，存储容量不大

　　外存储器外存存放系统程序和大型数据文件及数据库存储容量大，位成本低