集电极漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA
发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V
发射极、基极击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V
集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V
集电极、发射极饱和压降VCE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 0.6 V
基极、发射极饱和压降VBE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 1.2 V
基极、发射极压降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V
直流电流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300
HFE2 VCE=1V,IC=500mA 40
1.2
参数符号标称值单位
集电极、基极击穿电压VCBO 30 V
集电极、发射极击穿电压VCEO 25 V
发射极、基极击穿电压VEBO 5 V
集电极电流IC 500 mA
集电极功率PC 625 mW
结温TJ 150 ℃
贮存温TSTG -55-150 ℃
6发射
△电参数（Ta=25℃）
（按HEF1分类）标准分档： F：96-135 G：112-166 H:144-202 I:200-300
TO-92
1. 发射极 E
2. 基 极 B
3. 集电极 C
F G H1 H2 I1 I2
96-120 120-150 150-170 170-200 200-250 250-300