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供应850NM大功率发射管
价格：电议
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深圳市梵特光电开发有限公司

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本司有生产大功率红外线发射管,有940NM及850NM,进口芯片制作,质量保证.

Electro-optical Characteristics                                         (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

Testing Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Forward Voltage

VF

IF=100mA

 

1.35

1.65

V

Reverse Current

IR

VR=5V

 

 

10

uA

Radiant Intensity

Po

IF=20mA

 

30

 

mW/sr

IF=100mA

 

150

 

mW/sr

Terminal Capacitance

Ct

f=1MHz

 

20

 

pF

Half Power Beam Angle

△θ

 

 

±22.5

 

deg.

Peak Emission Wavelength

λp

IF=50mA

 

940

 

nm

Spectral bandwidth at 50%

△λ

IF=50mA

 

45

 

nm