器件,显示器件,变压器器件,砷化镓霍尔器件类技术资料(168元/套)

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[CS8144-0073-0001] 半导体器件 [摘要] 在此提供一种半导体器件，其中包括：形成在半导体基片上的绝缘膜；垂直和水平地形成在存储单元区域中的绝缘膜上的实际操作电容器；有选择地形成在该存储单元区域的四个角上的伪电容器；以及形成在该实际操作晶体管和伪电容器上的第二绝缘膜。 
[CS8144-0001-0002] 半导体集成电路器件 [摘要] 集成电路具备：把90度相位差赋予本地信号的第1移相器；使本地信号和接收信号混频的第1和第2混频电路；把90度相位差赋予第1和第2混频电路的输出信号，输出第1和第2信号的第2移相器；进行第1和第2信号之间的加法和减法运算的加法器和减法器；将减法器输出信号的强度和基准强度进行比较的信号强度检测器；根据该比较结果，使第1和第2混频电路中的任何一方，或使第1和第2混频电路中的任何一方与第1移相器的动作停止的电源控制电路。 
[CS8144-0058-0003] 带有蛇形缝隙式散热片的散热设备 本发明提供了一种用于散热设备(10)的蛇形缝隙式散热片(26)，所述散热设备(10)用于对具有一散热表面(14)的电子器件(12)进行冷却。散热设备(10)包括有一个具有表面(18)和第二表面(20)的平板(16)，其中表面(18)被构造成能够从电子器件(12)的表面(14)接收热量。散热片(26)被粘结在第二表面上，并且包括有多个偏置侧壁部分(48)。在一个实施例中，一个风扇(22)在第二表面(20)的上方间隔设置，用以基本上垂直于第二表面(20)将一股冲击气流(24)导向该第二表面(20)，而蛇形缝隙式散热片(26)位于风扇(22)的下方，并且被粘结在第二表面(20)上。 
[CS8144-0165-0004] 贴合基板的制造方法 [摘要] 根据本发明，提供一种贴合基板的制造方法，是针对至少具有将2枚的基板接合的工序、及对该接合后的基板给予热处理使其强固地结合的工序之形态的贴合基板的制造方法，其特征为：至少在接合前述基板之前，进行除去该基板表面的污染物质的洗净工序，接着，进行使洗净后的基板表面干燥的工序；该干燥工序不使用水置换法，而通过在接合前的基板上，残留水分，来提高基板接合后的接合强度。通过此手段，提供一种贴合基板的制造方法，以高生产性和高良率，制造出可以提高接合基板的接合界面的接合强度，在结合热处理后的贴合基板的结合界面，没有空洞不良或气泡不良等的基板。 
[CS8144-0070-0005] 半导体器件及其制造方法 [摘要] 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。 
[CS8144-0184-0006] 半导体元件用导电性薄膜、半导体元件及它们的制造方法 [摘要] 一种半导体元件(1)，在衬底(2)上，层积了包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜构成的栅电极(4)、栅绝缘膜(6)、α-Si：H(i)膜(8)、沟道保护膜(10)、α-Si：H(n)膜(12)、包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜构成的源?漏电极(14)、源?漏绝缘膜(16)以及驱动电极(18)。使用包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜，形成栅电极(4)和源?漏电极(14)并制造半导体元件(1)。由此，可以提供与基材和绝缘层等的粘结强度大的半导体元件用导电性薄膜、在性能不恶化下稳定工作的半导体元件及其它们的高效率的制造方法。 
[CS8144-0002-0007] 螺旋电感内含垂直电容的结构 [摘要] 一种螺旋电感内含垂直电容的结构，包含一多层导线以直立方式环绕的螺旋电感，及复数个直立式电容形成于电感线圈之内，借以改善半导体基板平面面积之利用，且由于二个以上电容形成于电感内部，涡电流因被阻断，故能量损耗低。 
[CS8144-0069-0008] 半导体器件及其制作方法 [摘要] 用于NMOS晶体管中扩展区的砷剂量在5×1014至2×1015ions/cm2的范围内，优选在1.1×1015至1.5×1015ions/cm2的范围内。同样地，除了砷之外，通过离子注入向扩展区掺入低浓度的磷。因此，对于CMOS结构的半导体器件，可以防止取决于以砷为代表的低扩散系数杂质浓度、经常发生在浅结区中不期望的硅化物蠕变。而且，不仅可以降低浅结区中的电阻，而且可以在每一个晶体管中优化重叠量。 
[CS8144-0187-0009] 掺杂氮的退火晶片的制造方法以及掺杂氮的退火晶片 [摘要] 本发明涉及一种掺杂氮的退火晶片的制造方法，其在对由掺杂氮的硅单晶切削、并至少经过研磨的晶片在氩、氢或其混合气体环境下实施1100～1350℃的高温热处理前，通过进行在小于前述高温热处理的处理温度温度滞留的工序，使前述高温热处理中消灭的尺寸的氧析出核生长为前述高温热处理中不消灭的尺寸，然后，进行前述高温热处理的掺杂氮的退火晶片的制造方法。据此，提供不受掺杂于硅单晶的氮浓度影响，从硅单晶的各部位切削而成的硅单晶晶片中的退火后的BMD密度的误差可被缓和。 
[CS8144-0050-0010] 探测装置，半导体装置的检验装置及检验方法 [摘要] 本发明涉及探测装置，设有该探测装置的半导体装置的检验装置及其检验方法。使得晶片7通过载物台9及接地配线11成为接地电位。通过载物台高度驱动组件17，使载物台9水平移动，将进行检验的芯片区域13的IC端子15配置在与探测端子25对应的位置后，载物台9上升到所定高度位置。通过施加电流测定电压部31向各探测端子25施加所恒流，监视因IC端子和探测端子25的接触为起因的电压变化。使载物台9进一步上升，当检测到IC端子和探测端子25接触时，接触判断部39输出该信息，从该时刻起，使载物台9仅上升所定量后，停止载物台9上升。即使是IC端子高度偏差大的半导体装置也能实现IC端子与探测端子的稳定接触。 
[CS8144-0181-0011] 薄膜结构体的制造方法 
[CS8144-0081-0012] ZnMgSSe系正-本-负光电二极管以及ZnMgSSe系雪崩二极管 
[CS8144-0152-0013] 半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0043-0014] 清洗等离子加工装置的方法 
[CS8144-0154-0015] 有机电致发光装置及其制造方法 
[CS8144-0202-0016] 散热型BGA封装及其制造方法 
[CS8144-0174-0017] 评估基于核的系统集成芯片(SoC)的方法及实现该方法的SoC的结构 
[CS8144-0047-0018] 离散式电路元件的制作方法 
[CS8144-0196-0019] 等离子体处理装置 
[CS8144-0075-0020] 非挥发性内存及其制造方法 
[CS8144-0006-0021] 紫外线程序化的P型罩幕式只读存储器及其制造方法 
[CS8144-0049-0022] 多重金属层内连线结构及测试金属层间介电层强度的方法 
[CS8144-0078-0023] 具位於主动胞元阵列外的屏蔽电极和较小闸极-汲极电容的电晶体排列 
[CS8144-0060-0024] 具有非氧化铜线的半导体封装 
[CS8144-0110-0025] 半导体发光器件及其制造工艺 
[CS8144-0177-0026] 非易失性存储器单元阵列和形成方法 
[CS8144-0022-0027] 薄膜晶体管 
[CS8144-0175-0028] 电源电路装置 
[CS8144-0182-0029] 发光材料和有机发光器件 
[CS8144-0005-0030] 无接触区形成于存储单元区的分栅快闪存储单元阵列结构 
[CS8144-0105-0031] 在半导体衬底上制造无源元件的方法 
[CS8144-0086-0032] 半导体发光芯片及半导体发光器件 
[CS8144-0206-0033] 半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0213-0034] 无铬相移掩膜及使用该掩膜的设备 
[CS8144-0130-0035] 相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法... 
[CS8144-0155-0036] 电致发光装置 
[CS8144-0020-0037] 应用于MOS场效应管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法 
[CS8144-0068-0038] 轻薄叠层封装半导体器件及其制造工艺 
[CS8144-0025-0039] 半导体显示器件 
[CS8144-0153-0040] 电源模块及空调机 
[CS8144-0135-0041] 自旋偏振载流子转移的方法和设备 
[CS8144-0137-0042] 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺 
[CS8144-0129-0043] 磁控管等离子体用磁场发生装置、使用该磁场发生装置的等离子体蚀刻装置和方法 
[CS8144-0149-0044] 高速低功率半导体存储器结构 
[CS8144-0092-0045] 用硅质材料封埋微细沟的方法和带硅质膜的衬底材料 
[CS8144-0117-0046] 在有机硅酸盐玻璃中腐蚀双波纹结构的方法 
[CS8144-0161-0047] 制造高温超导体的方法 
[CS8144-0014-0048] 具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法 
[CS8144-0124-0049] 半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0120-0050] 半导体集成电路器件 
[CS8144-0192-0051] 半导体器件的制造装置和制造系统 
[CS8144-0145-0052] 用于FIMS系统的装箱接口设备 
[CS8144-0159-0053] 固体成像器件的制造方法 
[CS8144-0121-0054] 包括可焊热界面的电子组件及其制造方法 
[CS8144-0012-0055] 半导体器件及其制造方法和功率放大器模块 
[CS8144-0131-0056] 改进的氟掺杂二氧化硅薄膜 
[CS8144-0055-0057] 半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0045-0058] 低顺向电压降肖特基屏蔽二极管及其制造方法 
[CS8144-0193-0059] 氮化物半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0140-0060] 电子元件及其制造方法 
[CS8144-0011-0061] 影像传感器封装结构及应用该影像传感器的影像撷取模块 
[CS8144-0190-0062] 构图方法 
[CS8144-0147-0063] 半导体薄膜及半导体装置的制造方法、半导体装置、集成电路、电光学装置及电子... 
[CS8144-0209-0064] 半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构 
[CS8144-0033-0065] 制造适合于图象传感器的半导体装置的方法 
[CS8144-0178-0066] 半导体装置及其制造方法 
[CS8144-0083-0067] 光电器件及光电器件的制造方法 
[CS8144-0030-0068] 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 
[CS8144-0031-0069] 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 
[CS8144-0141-0070] 存储单元,存储单元装置和制造方法 
[CS8144-0179-0071] 包含薄膜晶体管的电子器件 
[CS8144-0016-0072] 一种新的栅介质堆层结构 
[CS8144-0126-0073] 带放大栅极氧化物完整结构的半导体沟槽器件 
[CS8144-0215-0074] 液膜形成方法及固体膜的形成方法 
[CS8144-0119-0075] 发动机驱动发电机的整流器组件中二极管部件的制造方法 
[CS8144-0010-0076] 半导体装置及其制造方法 
[CS8144-0097-0077] 彩色太阳能电池单元 
[CS8144-0146-0078] 薄膜半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0098-0079] 第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法 
[CS8144-0088-0080] 薄膜压电元件及其制造方法和使用该压电元件的执行元件 
[CS8144-0063-0081] 芯片比例封装及其制造方法 
[CS8144-0138-0082] 用于输入/输出的球限定冶金结构及其制造方法 
[CS8144-0122-0083] 塑料封装基底、气腔型封装及其制造方法 
[CS8144-0007-0084] 半导体装置 
[CS8144-0158-0085] 贴合晶片的制造方法 
[CS8144-0203-0086] LED灯 
[CS8144-0024-0087] 复合太阳能电池组 
[CS8144-0004-0088] 非易失性存储器单元与非易失性存储器阵列及其操作方法 
[CS8144-0054-0089] 半导体集成电路 
[CS8144-0116-0090] 施行后临界尺寸控制的方法及装置 
[CS8144-0125-0091] 半导体集成电路器件及其制造方法 
[CS8144-0218-0092] 基板处理装置 
[CS8144-0009-0093] 半导体器件及其制法、SOI衬底及其制法和其显示器件 CS8144-0048-0094] 微电子电路的空腔型封装方法 
[CS8144-0144-0095] 包括-需要电极化的热电物质层的热释传感器的制造方法 
[CS8144-0080-0096] 结势垒控制肖特基二极管终端及方法 
[CS8144-0204-0097] 显示装置 
[CS8144-0053-0098] 含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法 
[CS8144-0188-0099] 制造电子器件的方法 
[CS8144-0212-0100] 三维立体掩膜 
[CS8144-0077-0101] 半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0106-0102] 硅内沟道结构底部的厚氧化层 
[CS8144-0066-0103] 静电放电防护电路 
[CS8144-0198-0104] 等离子体处理装置以及半导体制造装置 
[CS8144-0173-0105] 半导体器件的制造方法 
[CS8144-0087-0106] 半导体发光装置 
[CS8144-0079-0107] 顶栅型薄膜晶体管 
[CS8144-0099-0108] 用于测量装置的压电陶瓷多层元件及其制造方法 
[CS8144-0037-0109] 成膜方法及使用该方法制造的器件、和器件的制造方法 
[CS8144-0013-0110] 一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法 
[CS8144-0039-0111] 半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法 
[CS8144-0167-0112] 使用LED芯片的发光装置 
[CS8144-0061-0113] 芯片比例封装及其制造方法 
[CS8144-0216-0114] 用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法 
[CS8144-0067-0115] 静电放电防护电路 
[CS8144-0096-0116] 具有温度补偿的单电源异质结场效应晶体管 
[CS8144-0107-0117] 功率MOSFET及其形成和工作方法 
[CS8144-0074-0118] 具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构及其操作方法 
[CS8144-0176-0119] 电致发光器件及其制造方法 
[CS8144-0085-0120] 一种向四周发光均匀的发光二极管 
[CS8144-0208-0121] 具有柔性衬底的矩阵阵列器件 
[CS8144-0142-0122] 薄膜结构体及其制法以及加速传感器及其制法 
[CS8144-0118-0123] 在具有双层位线的硅绝缘体(SOI)衬底上构造的DRAM 
[CS8144-0076-0124] 集成电路器件的安装构造和安装方法 
[CS8144-0172-0125] 一种自动对准光屏蔽层的薄膜晶体管 
[CS8144-0133-0126] 成形弹簧以及制造和使用成形弹簧的方法 
[CS8144-0100-0127] 对基体进行热处理 
[CS8144-0157-0128] 模拟?数字混装集成电路 
[CS8144-0199-0129] 有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻 
[CS8144-0115-0130] 具有低介电常数的多孔硅质膜和半导体装置及涂料组合物 
[CS8144-0114-0131] 半导体基板上形成前金属电介质薄膜的方法 
[CS8144-0062-0132] 芯片比例封装及其制造方法 
[CS8144-0018-0133] 半导体器件和半导体器件的制造方法 
[CS8144-0143-0134] 产生辐射的半导体芯片和发光二极管 
[CS8144-0021-0135] 应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法 
[CS8144-0064-0136] 半导体装置及其制造方法 
[CS8144-0132-0137] 改进的倒装芯片连接封装 
[CS8144-0044-0138] 电浆处理装置 
[CS8144-0127-0139] 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构... 
[CS8144-0059-0140] 半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0090-0141] 一种酞菁薄膜的制备方法 
[CS8144-0195-0142] 等离子体处理装置 
[CS8144-0150-0143] 散热片及其制造方法 
[CS8144-0034-0144] 外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片 
[CS8144-0015-0145] SOI金氧半场效电晶体 
[CS8144-0093-0146] 晶片背面的晶粒黏接材料的预先使用方法及封装组件 
[CS8144-0082-0147] 光发电装置及其制造方法 
[CS8144-0171-0148] 一种薄膜晶体管的制造方法 
[CS8144-0040-0149] 功率半导体装置的闸极垫保护结构及其制造方法 
[CS8144-0160-0150] 使用LED的发光装置 
[CS8144-0183-0151] 图形加工方法 
[CS8144-0164-0152] 布线方法和利用该方法的器件布置方法、以及图象显示装置的制造方法 
[CS8144-0207-0153] 包括薄膜晶体管的电子器件及其制造 
[CS8144-0019-0154] 半导体元件及使用该半导体元件的显示器件 
[CS8144-0072-0155] 半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0169-0156] 包含一个有低硫酸根和高金属离子含量的导电透明聚合物层的发光二极管(LED... 
[CS8144-0180-0157] 薄膜晶体管及有源矩阵型显示装置及其制造方法 
[CS8144-0211-0158] 半导体设备和其制造方法 
[CS8144-0032-0159] 一种减小霍尔器件失调电压的方法 
[CS8144-0017-0160] 一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构 
[CS8144-0134-0161] 平面混合式二极管整流桥 
[CS8144-0201-0162] 电子器件用封装体及其制造方法 
[CS8144-0084-0163] 极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升元件及制法 
[CS8144-0162-0164] 清洗方法和腐蚀方法 
[CS8144-0028-0165] 温度检测元件以及装备它的电路基板 
[CS8144-0217-0166] 以单一晶片制程制作一闸极介电层的方法 
[CS8144-0168-0167] 显示装置及其制造方法 
[CS8144-0094-0168] 将散热片夹紧在电路板的处理器上 
[CS8144-0112-0169] 解决与蚀刻沟道过程有关的光学边缘效应的器件与方法 
[CS8144-0113-0170] 用于有机硅酸盐玻璃的低K蚀刻应用中的蚀刻后由氢进行的光刻胶剥离 
[CS8144-0109-0171] 将金属接点沉积在埋栅太阳能电池上的方法及由该方法获得的太阳能电池 
[CS8144-0139-0172] 耐振动冲击的散热器组件 
[CS8144-0091-0173] 半导体片表面修整的方法 
[CS8144-0051-0174] 半导体器件和提供低衬底电容区域的方法 
[CS8144-0095-0175] 半导体器件及其制造方法 
[CS8144-0003-0176] 采用碳纳米管的存储器件及其制造方法 
[CS8144-0046-0177] 一种晶圆型态封装及其制作方法 
[CS8144-0042-0178] 单片式芯片清洗装置 
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[CS8144-0151-0180] 集成芯体微电子封装 
[CS8144-0163-0181] 等离子体处理装置及排气环 
[CS8144-0026-0182] 制显示器的方法和装置与该方法所用基片和显示器 
[CS8144-0111-0183] 半导体芯片及其制造方法 
[CS8144-0194-0184] 等离子体处理装置 
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[CS8144-0071-0186] 半导体装置及其制造方法 
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