20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

VDS= 20V
RDS(ON),,= 80m @TYP
RDS(ON),,= 50m @TYP
RDS(ON),,= 40m @TYP
Features
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

我司大量现货供应
稳压LDO：6206系列，6219系列; 431
升压：3400，5303（2.7V 2.8V 3.V 3.3V 3.6V 4.5V 5.0V）其中部分已集成二极管， 1301等
降压：3406等
充电保护IC：4054（2YL6）； SE9016；4057；5056等
功放：8002； 4871； 4863； 8403；4890；
复位：809（2.63V 2.93V ）
MOS管：2301、2302.2300、2305、2306、2307.等

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深圳市合美达电子有限公司－市场部
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