目的

本規格書針對光鋐科技之38mil AlInGaPIRLED晶粒(BN-Y3838C-A3)之

相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。

产品特性

本產品為AlInGaP磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，N-pad

在上雙電極垂直結構，並以3.5um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。

外观尺寸

长度:940±25um
宽度: 940±25um  
厚度: 3.5±0.3um
焊垫直径: 110±10um
焊垫厚度:200±25um

光电特性

Test parameter

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

350mA

570

-

610

nm

Radiant intensity(I)

350mA

4150

-

10000

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

1.3

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

350mA

1.8

-

2.8

V

Reverse current (Ir)

-10V

0

-

2

uA