目的

 本規格書針對光鋐科技之 InGaN/GaN 40 x 40mil藍光LED 晶粒 (EP-B4040F-A3) 之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。

产品特性

本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 單面雙電極結

構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN 之歐姆接觸層(Ohmic contact

layer)，並以l.2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

外观尺寸

长度: 945±30um (40mil)
宽度: 945±10um (40mil)
厚度: 150±10um
焊垫直径: 100±10um
焊垫厚度:1.2±0.1um

光电特性

Test parameter

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

350mA

390

-

430

nm

Radiant intensity(I)

350mA

150

-

360

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

1.9

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

350mA

2.8

-

3.8

V

Reverse current (Ir)

-5V

0

-

2

uA