普通的压阻式压力传感器其敏感惠斯顿电桥的四个力敏电阻是用集成电路工艺制造的，电阻间用PN结相互隔离。由于受到PN结耐温限制，使用温度仅125℃，而实际上由于PN结反向漏电流随温度的指数上升关系，在温度超过100℃后，传感器性能已大大劣化，这限制了普通压阻传感器的可用温度范围。利用厚薄膜技术制作力敏电阻，可将使用温度扩展至125℃；利用多晶硅SOI技术制作力敏电阻，可将使用温度扩展至150°C；利用传统SOS技术和先进的SOI技术可将使用温度扩展至180℃～350℃；利用新的β相高温力敏材料碳化硅与SOI技术的结合，可将温度扩展至450℃～850℃，本系列产品是利用国际先进传感器，配合高子件，经严格的工艺过程装配而成。
　　
　　性能参数
　　
　　测量范围：0～10KPa…100MPa
　　
　　过载能力：2倍满量程压力（其中100MPa的产品过压为1.1倍满量程压力）
　　
　　压力类型：表压或绝压或密封参考压力
　　
　　测量介质：与316不锈钢兼容的气体或液体
　　
　　综合：±0.25％FS；±0.5％FS；±1％FS
　　
　　使用温区：-40℃～＋150℃；-40℃～＋200℃；-55℃～＋250℃；-25℃～＋350℃
　　
　　补偿温区：-20℃～＋130℃；-20℃～＋180℃；-20℃～＋200℃；0℃～＋250℃
　　
　　长期稳定性：典型：±0.1％FS／年；：±0.2％FS／年
　　
　　零点温度漂移：典型：±0.02％FS／℃；：±0.05％FS／℃
　　
　　灵敏度温度漂移：典型：±0.02％FS／℃；：±0.05％FS／℃
　　
　　供电范围：12～36VDC（一般24VDC）
　　
　　信号输出：4～20mA／1～5VDC／0～5VDC
　　
　　负载电阻：≤（U-10）／0.02Ω
　　
　　响应时间：≤3毫秒