YB6600半导体曲线跟踪仪用于研究所、院校、企业、电子产品厂家等测试半导体分立器件的直流参数，绘制曲线进行分析。
　　YB6600半导体曲线跟踪仪测试方法符合以下国际/国家标准和技术规范要求：
　　《JJF　1236-2010半导体管图示仪校准规范》和《GJB　128A-1997半导体分立器件试验方法》一、测试指标
　　A-K　极间加压范围：±2.500mV--2000V
　　A-K　极间测流范围：±100pA--49.90A
　　A-K　极间加流范围：±100nA--49.90A
　　A-K　极间测压范围：±2.500mV--2000V
　　G-K　极间加压范围：±2.500mV--20V
　　G-K　极间测流范围：±100pA--10A
　　G-K　极间加流范围：±100nA--10A
　　G-K　极间测压范围：±2.500mV--20V
　　A-K　极间加/测压：1%＋10mV
　　A-K　极间加/测流：1%＋10nA＋20pA/V
　　G-K　极间加/测压：1%＋5mV
　　G-K　极间加/测流：1%＋10nA＋20pA/V
　　电参数测试重复性：2%
　　电压分辨率：1mV
　　电流分辨率：1nA
　　二、可实现的曲线
　　1、Mosfet（N-Channel＆P-Channel）（金属-氧化物-半导体场效应管）
　　ID　vs　VDS（在VGS范围内）
　　ID　vs　VGS（在一个固定的ID）
　　IS　vs　VSD
　　RDS　vs　VGS（在一个固定的VDS）
　　RDS　vs　ID（在VGS范围内）
　　2、Transisitor（晶体管）
　　HFE　vs　IC
　　BVCE（O.S.R.V）vs　IC
　　BVEBO　vs　IE
　　BVCBO　vs　IC
　　VCE（SAT）（在一定的IC/IB比率）
　　VCE（SAT）vs　IB（在IC的范围内）
　　VBE（SAT）vs　IB（在一定的IC/IB比率）
　　VBE（ON）vs　IC（在一定的VCE）
　　3、IGBT（N-Channel＆P-Channel）（绝缘栅双极晶体管）
　　IC　vs　VCE（在VGE范围内）
　　IC　vs　VGE（在一定的VCE）
　　ICES　vs　VCE
　　IF　vs　VF
　　4、DIODE（二极管）
　　IF　vs　VF
　　IR　vs　VR
　　5、ZENER（稳压管）
　　IF　vs　VF
　　IR　vs　VR
　　6、TRIAC（双向可控硅）
　　IT　vs　VT（＋/-）（在一个固定的IG）
　　7、SCR（单项可控硅）
　　IT　vs　VTM（在一个固定的IG）
　　8、SSVOP（固态过压保护器）
　　IT　vs　VT（＋/-）（在一个固定的IBO）
　　9、SIDAC（高压触发二极管）
　　IT　vs　VT（＋/-）（在一个固定的IBO）
　　10、DIAC（双向触发二极管）
　　ID　vs　VF（＋/-）
　　11、REGULATOR（稳压器）
　　Electronic　Load　vs　V　OUT（在一个固定电流）
　　12、J-FET（（N-Channel＆P-Channel））（结型场效应管）
　　ID（OFF）vs　VDS（在VGS范围内）
　　ID（OFF）vs　VGS（在一个固定的VDS）
　　ID（ON）vs　VDS（在VGS范围内）
　　ID（ON）vs　VGS（在一个固定的VDS）
　　13、Curve　Tracer　Mode　Only（曲线跟踪模式）
　　IC　vs　VCE（在一个固定的IB）