半导体激光器
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  可调谐倍频激光器是由基频和倍频两部分组成,其中基频部分是由外腔半导体激光器和放大器构成,运用倍频技术,从而实现通常半导体激光器难以达到的372nm-580nm单频、稳频、可调谐单模大功率输出。激光器倍频腔体部分由环形腔构成。驱动控制部分由基频光的恒流驱动和温控以及PZT的控制、倍频晶体工作温度的控制和锁腔电路组成。整套系统结构紧凑、整体性强、稳定性好、锁定时间长。可用于原子和分子光谱学、冷原子物理、量子光学、量子保密通讯等领域。

其他说明

波长(Wavelength) 210nm ~ 580nm
线宽(Linewidth) < 1MHz
功率(Optical power) 5 ~ 600mW
无跳模调谐范围(Mode-hop free tuning range) > 15GHz
波长粗调范围(Wavelength tuning range) 2~ 10nm
短时间功率稳定性((Short-term power stability) < 2%
工作模式(Mode) 连续单频
偏振状态(Polarization state) 线偏振
偏振率(polarization) 1 :1000
冷却方式(Cooling) TEC制冷
锁定控制(Locking Control electronics) Hansch 自动锁腔方法, 锁定时间12小时.
长时间稳定性(Stability) < 5%, 具体视环境而定
工作温度(Operating) 15-30° C
工作电压(Operating voltage) 220-240V AC    50-60Hz