◆　产品介绍：　
　　用途：　适用于电力半导体器件及　IGBT模块等。　用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。　
　　特点：钼圆片表面光亮，粗糙度可达Ra1.60，热导电性能好，热膨胀系数小，且耐高温。　
　　规格：加工方片范围为4-25毫米　2　，厚度0.15-1.5毫米。亦可根据客户要求，来样来图加工。　
　　参数：比重：10.2g／cm　3　电阻率：不大于6。26×10　-6　Ω。cm　
　　线膨胀系数：4.0×10　-6　μm／（m.k）-6.4×10　-6　μm／（m.k）（在373.15k-973.15k）　
　　包装：吸塑包装于木箱内，箱重不超过20kg。