LPCVD是加热的方式条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低。气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。
　　LPCVD用于淀积Poly-Si.Si3N4.SiO2.磷硅玻璃。硼磷硅玻璃。非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路。电力电子。光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
　　
　　设备构成
　　◆设备由净化工作台、加热炉柜、气路真空柜、微机控制柜、气源钢瓶柜（用户配套选用件）等组成；
　　◆卧式结构；
　　◆工艺气路系统配置；所有气路配件均采用进口件，VCR接口。
　　◆压力控制系统采用氮气调压；
　　◆真空系统采用罗茨泵——机械泵机组。
　　
　　安全保护
　　1、超温报警
　　2、极限超温报警
　　3、断偶保护
　　
　　设备结构说明
　　◆净化工作台采用水平层流净化；
　　◆气源钢瓶柜为气体钢瓶放置装置，分特种气体及普通气体源，柜内管路及阀门均采用进口件，用户可配套选用；
　　◆设备外形尺寸：长×宽×高（单位：mm）：约4750×1200×2100；（不包括气体钢瓶柜）
　　
　　主要技术指标
　　◆加热炉恒温区长度：≥500mm
　　◆加热炉使用温度范围：400°C〜1000°C
　　◆加热炉恒温区：≤＋1°C/24h
　　◆恒温区范围温度梯度：（0〜30）°C/500mm可调
　　◆系统极限真空度：1Pa
　　◆工作压力范围：66Pa〜133Pa
　　◆送片方式：手动/自动送片
　　◆加热炉及工序控制方式：微机自动控制
　　◆膜厚均匀性：片内、片间、批间均≤＋5%。