二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；
它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，
这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。
一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n
结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，
这也是常态下的二极管特性。

Wx253MC450   
Wx253MC440  
Wx253MC420   
SW35CXC12C 
SW28CXC12C  
WX166MC480  
WX166MC420  
WX166MC400  
WX166MC360  
WX166MC320  
SW45FXC1100  
SW36FXC1100   
SW45CXC1100  
SW36CXC1100  
SW40CXC1170  
SW30CXC1170 
Wx254MC600  
Wx254MC520  
Wx254MC500  
SW14CXC935
SW12CXC935  
SW10CXC935  
SW02CXC935  
SW45CXC920 
SW36CXC818  
SW50CXC815    
SW25CXC805  
SW22CXC805  
SW18CXC805  
SW08CXC805  
SW50CXC680
SW40CXC680
SW30CXC635 
SW24CXC635  
SW60CXC620  
SW50CXC620  
SW36CXC595  
SW30CXC595   
SW60DXC500  
SW60CXC500  
SW50CXC500  
SW25HXC565  
SW20HXC565 
SW32HXC445
SW20HXC445  
SW32CXC445  
SW20CXC445  
SW56CXC350 
SW45HXC270  
SW36HXC270
SW45HXC270  
SW36HXC270  
SW15HHN470  
SW12HHN470  
SW04HHN470  
SW15HHR470  
SW12HHR470  
SW04HHR470
SW15PHN470  
SW12PHN470  
SW04PHN470   
SW15PHR470  
SW12PHR470  
SW04PHR470 

WX171SF320  
WX171SF280  
WX171SF250  
WX171SE320  
WX171SE280  
WX171SE250  
WX171RF320  
WX171RF280  
WX171RF250 
WX171RE320  
WX171RE280  
WX171RE250 

SKCH40/14 SEMIKRON 40A/1400V/DIODE+SCR/5U
SKCH40/16 SEMIKRON 40A/1600V/SCR+DIODE/5U
SKD100/04 SEMIKRON 100A/400V/DIODE/6U
SKD100/08 SEMIKRON 100A/800V/DIODE/6U
SKD100/12 SEMIKRON 100A/1200V/DIODE/6U
SKD100/14 SEMIKRON 100A/1400V/DIODE/6U
SKD100/16 SEMIKRON 100A/1600V/DIODE/6U
SKD110/04 SEMIKRON 110A/400V/DIODE/6U
SKD110/08 SEMIKRON 110A/800V/DIODE/6U
SKD110/12 SEMIKRON 110A/1200V/DIODE/6U
SKD110/14 SEMIKRON 110A/1400V/DIODE/6U
SKD110/16 SEMIKRON 110A/1600V/DIODE/6U
SKD110/18 SEMIKRON 110A/1800V/DIODE/6U
SKD115/12 SEMIKRON 110A/1200V/DIODE/6U
SKD115/16 SEMIKRON 110A/1600V/DIODE/6U
SKD115/18 SEMIKRON 110A/1800V/DIODE/6U
SKD116/12-L100 SEMIKRON 110A/1200V/DIODE/6U
SKD116/12-L75 SEMIKRON 110A/1200V/DIODE/6U
SKD116/16-L100 SEMIKRON 110A/1600V/DIODE/6U
SKD116/16-L75 SEMIKRON 110A/1600V/DIODE/6U
SKD145/12 SEMIKRON 140A/1200V/DIODE/6U
SKD145/16 SEMIKRON 140A/1600V/DIODE/6U

快恢复、超快恢复二极管的结构特点

　　快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 

快恢复二极管

20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装， 　　几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。