特点和优势：
　　（1）不受背景气体的影响
　　（2）不受粉尘与视窗污染的影响
　　（3）自动修正温度，压力对测量的影响产品详细信息激光分析仪产品介绍
　　
　　一、半导体激光光谱吸收技术基本原理
　　
　　半导体激光光谱吸收技术（diode laser absorption spectroscopy，DLAS）早于20世纪70年代提出。初期的DLAS技术只是一种实验室研究用技术，随着半导体激光技术在20世纪80年代的迅速发展，DLAS技术开始被推广应用于大气研究、环境监测、医疗诊断和航空航天等领域。特别是20世纪90年代以来，基于DLAS技术的现场在线分析仪表已逐渐发展成为熟，与非色散红外、电化学、色谱等传统工业过程分析仪表相比，具有可以实现现场原位测量、无需采样和预处理系统、测量准确、响应迅速、维护工作量小等显著优势，在工业过程分析和污染源监测领域发挥着越来越重要的作用。
　　
　　1.朗伯-比尔定律
　　
　　DLAS技术本质上是一种光谱吸收技术，通过分析激光被气体的选择性吸收来获得气体的浓度。它与传统红外光谱吸收技术的不同之处在于，半导体激光光谱宽度远小于气体吸收谱线的展宽。因此，DLAS技术是一种高分辨率的光谱吸收技术，半导体激光穿过被测气体的光强衰减可用朗伯-比尔（Lambert-Beer）定律表述
　　
　　式中，IV，0和IV 分别表示频率V的激光入射时和经过压力P，浓度X和光程L的气体后的光强；S（T）表示气体吸收谱线的强度；线性函数g（v-v0）表征该吸收谱线的形状。通常情况下气体的吸收较小，可用式（4-2）来近似表达气体的吸收。这些关系式表明气体浓度越高，对光的衰减也越大。因此，可通过测量气体对激光的衰减来测量气体的浓度。
　　
　　2.光谱线的线强
　　
　　气体分子的吸收总是和分子内部从低能态到高能态的能级跃迁相联系的。线强S（T）反映了跃迁过程中受激吸收、受激辐射和自发辐射之间强度的净效果，是吸收光谱谱线基本的属性，由能级间跃迁概率经及处于上下能级的分子数目决定。分子在不同能级之间的分布受温度的影响，因此光谱线的线强也与温度相关。如果知道参考线强S（T0），其他温度下的线强可以由下式求出式中，Q（T）为分子的配分函数；h为普朗克常数；c为光速；k为波尔兹曼常数；En为下能级能量。各种气体的吸收谱线的线强S（T0）可以查阅相关的光谱数据库。
　　
　　JNYQ-G-8X为系列产品，根据应用要求不同，主要有以下几种组态型号：
　　JNYQ-G-81（原位型）
　　激光原位测量，响应速度快，测量高
　　集成式正压防爆设计，安全可靠
　　模块化设计，可现场更换所有功能模块，维护方便
　　智能化程度高、操作方便
　　JNYQ-G-82（旁路型）
　　激光旁路测量，测量高，抗干扰能力强
　　光学非接触测量，可直接测量高温、强腐蚀性气体
　　旁路处理装置简单、可靠，可直接安装在过程管道处
　　全系统防爆，支持气体温度、压力自动补偿
　　JNYQ-G-83（分布型）
　　分布式激光测量，支持八个测量通道，高性价比
　　测量通道独立激光测量模块，可靠性高
　　网络化集中显示和控制，监控方便