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砷化镓单晶棒 北京特博万德科技有限公司
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生长方法

VB


导电类型

N型


掺杂元素

Si


直径

2-4

英寸

方向

(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A


载流子浓度

Min: 0.2 E18

Max: 4.0 E18

/cm3

电阻率

Min: 0.8 E-3

Max: 9.0 E-3

Ohm.cm

迁移率

≥ 1800

cm2/v.s

位错密度

≤ 3500

/cm2

   

  其他规格可按客户要求提供