产品参数：

 

　　类型： 存储器
　　存储容量： 1M
　　型号： GLS29EE010-70-4C-PHE
　　批号： 2010
　　用途： 电子琴
　　品牌： GLS=SST
　　针脚数： 32
　　封装： DIP32
　　存储器类型 Parallel Flash
　　速度 70NS
　　工作电压 4.5~5.5V
　　封装-箱体 550
　　封装 DIP32
　　存储容量 1 Mbit
　　小温度范围 0℃
　　工作温度 +70℃

 

 

　　flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.
　　Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。
　　目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash.NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以读取一块的形式来进行的，通常是读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlash以外，还加上了一块小的NORFlash来运行启动代码。
　　一般小容量的用NORFlash,因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH,常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Mxic,而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung,Toshiba和Hynix.

 

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