产品参数：

 

　　功率： 0.001
　　类型： 通信IC
　　频率： 55
　　型号： IS62WV5128BLL-55HLI
　　批号： 2012+
　　用途： 影碟机
　　品牌： ISSI
　　电源电压： 3.6V
　　封装： TSOP32
　　产品种类 SRAM
　　封装-箱体 STSOP-I
　　工作电源电压 3.3 V
　　存储容量 4 Mbit
　　工作温度 + 85 C
　　小工作温度 - 40 C
　　类型 Asynchronous
　　访问时间 55 ns
　　组织 512 K x 8
　　端口数量 Single
　　安装风格 SMD/SMT
　　工作电流 15 mA
　　接口 TTL

 

　　

现将它的特点归纳如下：
　　◎优点：节能、速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
　　◎缺点：集成度低，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
　　◎SRAM使用的系统：
　　○CPU与主存之间的高速缓存。
　　○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
　　○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
　　○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。
　　SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 C ache）。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
　　SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）。SRAM也有许多种，如AsyncSRAM （Asynchronous SRAM,异步SRAM）、Sync SRAM （Synchronous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM, 流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
　　基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器（decode），灵敏放大器（Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。 SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不象DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

 

 

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