产品参数：

 

　　存储容量：64M
　　频率：166
　　批号：2013+
　　针脚数：54
　　类型：通信IC
　　型号：W9864G6JH-6
　　品牌：WINBOND/华邦电子
　　用途：影碟机
　　电源电压：3.3
　　封装：TSOP54
　　
增加PHR的方法
　　显然，这与预充电管理策略有着直接的关系，目前有两种方法来尽量提高PHR.自动预充电技术就是其中之一，它自动的在每次行操作之后进行预充电，从而减少了日后对同一L-Bank不同行寻址时发生冲突的可能性。但是，如果要在当前行工作完成后马上打开同一L-Bank的另一行工作时，仍然存在tRP的延迟。怎么办？ 此时就需要L-Bank交错预充电了。
　　VIA的4路交错式内存控制就是在一个L-Bank工作时，对下一个要工作的L-Bank进行预充电。这样，预充电与数据的传输交错执行，当访问下一个L-Bank时，tRP已过，就可以直接进入行有效状态了。目前VIA声称可以跨P-Bank进行16路内存交错，并以LRU算法进行预充电管理。
　　有关L-Bank交错预充电（存取）的具体执行在本刊2001年第2期已有详细介绍，这里就不再重复了。
　　L-Bank交错自动预充电/读取时序图（可点击放大）：L-Bank 0与L-Bank 3实现了无间隔交错读取，避免了tRP对性能的影响 三、增加PFHR的方法
　　无论是自动预充电还是交错工作的方法都无法消除tRCD所带来的延迟。要解决这个问题，就要尽量让一个工作行在进行预充电前尽可能多的接收多个工作命令，以达到背靠背的效果，此时就只剩下CL所造成的读取延迟了（写入时没有延迟）。

 

Description		The W9864G6JH is a 64M SDRAM and speed involving -5/-6/-6I/-6A/-7/-7S Status: Mass Production
Features		3.3V± 0.3V for -5/-6/-6I/-6A grade power supply 2.7V~3.6V for -7/-7S grade power supply 1,048,576 words x 4 banks x 16 bits organization Self Refresh Current: Standard and Low Power CAS Latency: 2 & 3 Burst Length: 1, 2, 4, 8 and full page Sequential and Interleave Burst Byte data controlled by LDQM, UDQM Auto-precharge and controlled precharge Burst read, single write operation 4K refresh cycles/64mS Interface: LVTTL
Diagram		N/A
Package		Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free materials with RoHS compliant