产品品牌：

ADV美国先进半导体

产品型号：

1MBH25D-120

种类	结型(JFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	S/开关
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	1200（V）	夹断电压	-（V）
低频跨导	-（μS）	极间电容	-（pF）
低频噪声系数	-（dB）	漏极电流	25（mA）
耗散功率	130（mW）

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