RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，一种微电子干法腐蚀工艺。
成熟的技术，庞大的装机量，是VLSI（标准样片公司）供应商。有单腔手动方片。性价比很高。特别适合高校和研究单位。
高选择比

1) 尺寸：2-12英寸

2) 直径：5”或8”

3) 气体输入管数量：4（两个反应气，一个载气，一个排空管）

4) 源距平板的距离：2”或者可调

5) 真空：低于E-7Torr，200L/sec涡轮分子泵及3.5cfm机械泵组合

6) 平板温度：800℃

7) 射频电源供应：600W，13.5MHz

8) 射频偏压：300W，13.5MHz

可以提供 反应离子刻蚀（RIE）和PECVD双系统。