产品品牌：

勤拳

产品型号：

MMS103/MMS101

概述 MMS103 是一款为高灵敏度、高速、低功耗、高应用而开发的双极锁存磁传感器，集成了TMR 和CMOS 技术。MMS103 采用高推挽半桥TMR 磁传感器和CMOS 集成电路，包括TMR 电压发生器，比较器，施密特触发器和CMOS 输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压x 信号输出。通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。MMS103 低电压工作、消耗电流低、响应频率高，微安级的电流消耗成为众多低功耗应用的理想选择。(可完全替代韦根及微功耗霍尔） 产品特性 典型应用 磁隧道结 (TMR) 技术 三表（水表，气表，热量表） 双极锁存传感器 流 量 计 磁场灵敏度：Bop=3.0mT 速度测量 工作电流：6uA@3V 电机旋转位置 工作电压：1.8V~5.5V 线性位移测量 响应频率：10 kHz ESD 性能：>4kV 管脚定义 TO-92 SOT23-3

管脚名	序号		功能
	TO‐92	SOT23‐3
OUTPUT	1	2	输出
GND	2	3	地
VCC	3	1	电源

功能方框图 额定值

参数	符号	额定值	单位
工作电压	VDD	6	V
工作电流	IDD	20	uA
输出电压	VOUT	6	V
输出电流	IOUT	30	mA
使用温度	TA	‐40～125	℃
储存温度	TSTG	‐50～+170	℃
ESD 性能(HBM)	VESD	4	kV

性能参数(TA= +25℃)

参数	符号	条件	小值	典型值	值	单位
工作电压	VDD		1.8	3.0	5.5	V
工作电流	IDD	VDD=3.0V		5		μA
输出电流	IOUT			10		mA
输出高电压	VOL		VDD‐0.2			V
输出低电压	VOH				0.2	V
响应频率	F			10		KHz
使用温度	TA	工作	‐40		125	°C

磁特性(VDD=3.0 V)

参数	符号	条件	小值	典型值	值	单位
工作点	BOP	TA=+25°C		3		mT
		全温度范围				mT
释放点	BRP	TA=+25°C		-3		mT
		全温度范围				mT
回差	BH	TA=+25°C		6		mT
		全温度范围

输出和磁场关系

参数	测试条件	输出信号
南极磁场	B>Bop	低电平
北极磁场	B	高电平

磁场感应反向 磁场强度 应用信息 平行于TMR 传感器的磁场超过工作点门限 Bop，MMS103 输出低电平。当TMR 传感 器的磁场低于释放点时，MMS103 输出高 电平。磁场工作点和释放点的差值就是传 感器的回差Bh。 为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和 地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。 如应用电路图所示，典型值为0.1uF。