这些霍尔效应传感器是单片集成电路，更严格的磁性规范，设计工作连续地扩展到+150°C的温度，更稳定的温度和电源电压的变化。

　　每个器件包括一个电压调节器操作电源电压为3.8伏到30伏，电池反向保护二极管，二次霍尔电压发生器，温度补偿电路，小信号放大器，施密特触发器和集电极开路输出，吸收高达50 mA 。用合适的输出上拉起来，它们可以被用来利用双极型晶体管或CMOS逻辑电路。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855-1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

注：由于电子元件流动性快,所以价格不会恒久不变,成本会因来货数量、来货渠道以及市场需求量在每一个时期做一定的调整,当来货量高于市场需求量会做下调处理,当来货量低于市场需求量则稍做上调处理;