主要特点：

1. 可用于300mm wafer及更小的晶片

2. 根据工艺要求，可配备ICP源或微波源及射频偏压在低温下去除难以剥离的光阻层，是其他同类产品无法比拟的

3. 清洗刻蚀速率可达6um/min,损伤小

4. 设备体积小，节省空间

5. 适用于研究机构的小规模生产