产品品牌：

MMR

产品型号：

70~730K

1.	设备名称：	霍尔效应测试仪
2.	功能描述：	测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3.	设备明细：
3-1	测试范围：	Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3-2	磁场：
3-2-1	磁场强度：	0.35T 电磁体   /    0.5T 永磁体   /   1.4T 电磁体   三种磁场可选
3-2-2	磁场类型：	永磁体、电磁体可选。
3-2-3	磁场均匀性：	磁场不均匀性＜±1 % 10年内磁场变化＜±0.2%
3-3	测试样品：
3-3-1	样品测试仓：	全封闭、带玻璃窗口
3-3-2	测试时间：	80～580K、20分钟； 90～500K、15分钟内。
3-4	温    度：
3-4-1	温度区域：	77 K~300K、77 K~580K、77 K~730K、80 K~580K等温区可以选择
3-4-2	温控：	0.1K
3-4-3	温控稳定性：	±0.1 K
3-5	电阻率范围：	10-6~1013 Ohm*cm
3-6	电阻范围：	10 M Ohms~ 10G Ohms
3-7	载流子浓度：	102~1022cm-3
3-8	迁移率：	10-2~109 cm2/volt*sec
3-9	输入电流：
3-9-1	电流范围：	0.1 pA~10mA
3-9-2	电流：	2%
3-10	输入电压：
3-10-1	电压范围：	±2.5V,小可测到6×10-6V
3-10-2	电压分辨率：	3×10-7V
3-10-3	电压：	2%
4.	仪器优点：
4-1	采用van der Pauw法测试。
4-2	可测1cmX1cm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭、带玻璃窗口。
4-3	配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自动。测试数据能够方便的储存和导出。
4-4	模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统。
4-5	测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优。
4-6	在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，变温范围80K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试。