波长

300  - 900nm（其余可选）

Y、D

0.001°、0.01°  (90° 时50次测量标准差)

长期稳定性

TanY = ±0.001；CosD =  ±0.001(90°超过1小时的测量)

膜厚

±1 ? for 100 nm SiO2 on Si

折射率

± 5x10-4 for 100 nm SiO2 on Si

厚度范围

0.1nm-200μm

灯源

日本滨松光子氙灯（含强度自动优化系统以自动选择合适光强）

模型

Cauchy、EMA等

光学结构

PSCA

高稳定度补偿器C；CosD=1 附近有较高

起偏器P、补偿器C、检偏器A的位置自动跟踪、以及自校准功能

光斑

<<1 mm；≈60 μm

分析

含退偏纠正

光谱仪

背照式CCD、-15℃真空制冷

入射角

10° - 90°连续可变追踪布鲁斯特角；0.0002°

自检

90°自动校准；包括原始测试波形的自检

维护

自动的内部维护程序，检查部件是否在正常工作

数据库

各种电介质、薄膜、晶体及非晶半导体、金属等的NK文件（数万种）