STD2HNK60Z分离式半导体产品原装热卖，专销STMicroelectronics STD2HNK60Z分离式半导体产品
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图文详情
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产品属性
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| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 其它有关文件 | STD2HNK60Z View All Specifications |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SuperMESH™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.8 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（） | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V |
| 功率 - | 45W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 497-6192-6 |
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厂家
STMicroelectronics
批号
11+12+
数量
15000