参数名称 符号 额定值 单位
击穿电压 VB 100 V
耗散功率 Ptot 1.2 W
结温 Tj 150 ℃
贮存温度 Tstg -55～150 ℃

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华晶MOS管（场效应管）：830、840、730、740、630、640、1N60、2N60、4N60、6N60、8N60、10N60、12N60、20N60。等，封装形式有TO-251、TO-252、TO-220A、TO-220AB、TO-92、TO-126、SOT-23。广泛应用于LED驱动电源、开关电源。
华晶三极管：13001、13002、13003、13005、13007、13009。

美国Bourns精密电位器：3296W、X、P型 、3362P、 3386P、3006P、3313J、3314J、3224W、3590S、6639S、6657、自恢复保险丝：贴片和插件类。