DKDP电光Q开关(Q-switch, Pockels Cells)因其独特的物理特性和优异的光学品质而广泛应用于大口径、高功率、窄脉宽(<10ns)激光系统。DKDP晶体是单轴晶体,具有优异的光学质量, 其消光比>1000:1(使用632nm He-Ne激光测量), 波前畸变98%。 DKDP电光Q开关电容小(约为3pF), 因而上升时间短(<0.5ns), 在调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光。与市场上使用较广泛的电光晶体相比, DKDP晶体具有较高的损伤阈值; 在脉宽10ns、波长为1064nm、重复频率 10 Hz 的光学条件下, 损伤阈值>1GW/cm2。 D-EO-Q系列DKDP电光Q开关设计制造完全基于工业化的实际应用。采用优良的耐环境温度冲击的材料和结构设计保证开关内环境的稳定以及优异的电光性能; 不使用任何具有挥发性质的封胶或粘合剂, 因而在其所应用的激光系统中, 不会出现对器件和整个激光器系统的污染性影响。产品特点 高消光比: &gt;1000:1 波前畸变: 低电容, 上升时间短: ～3pF 高透过率: &gt;98%高损伤阈值: &gt;1GW/cm2无静态双折射, 无光折变损伤 镀增透膜的保护性石英窗口 耐环境温度冲击和优异的电光性能 无任何封胶或粘合剂 D-EO-Q-30-40-X-WB型开关参数外观尺寸：Φ30x40mm 孔径: Ф6~Ф12mm可选 电压Vλ/4 : 3.4 KV @1064nm消光比: &gt;1000:1 插入损耗 (单程) : &lt;2% 波前畸变: &lt;λ/10 电容 (pF): ≈17pF 应用光谱范围: 240-1400nm以上是电光Q开关的详细信息，如果您对电光Q开关的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取电光Q开关的新信息。