仪器采用了新双电测法原理进行测量，该方法能自动消除样品几何尺寸、边界效应及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，从而提高了测量结果的准确度，使其达到±3％(目前国内四探针测试仪一般准确度为±5％)，使用本仪器测量时，由于不需要进行几何边界条件和探针间距的修正，因而对各种形状的样品材料有广泛的适用性。本仪器由本所与北京工业大学共同研制。中国计量科学研究院监制。 用途：① 测量片状单晶片体电阻率ρ； ② 测量离子注入片、扩散片、异型外延片及导电薄膜的方块电阻R口； ③ 判断被测材料局部不均匀度； 技术指标: 测量范围 ① 电阻率：0.01-200Ω.cm(可扩展)； ② 方块电阻：0．1-2000Ω／口(可扩展)； ③ 测量电阻率时，片状样品厚度 ≤3.0 cm； 可测晶片直径，100 cm或200 cm。