1、可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。
2、可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。
3、液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形。

二、多金硅少子寿命测试仪技术参数：

配置两种波长的红外光源
1、 1.07μm波长红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
2、 0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
 

三、多金硅少子寿命测试仪 测量范围：
1、 研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω·㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
2、抛光面：电阻率在0.1～0.01Ω·㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
 

四、多金硅少子寿命测试仪寿命可测范围：
1、分体式：2μS—10ms
2、 一体式：0.5μS—20ms