本仪器可对N沟道及P沟道大功率MOS场效应晶体管的主要技术参数进行测量。在测量注入可高达10A电流时的gm及RDS(on) 等晶体管图示仪无法检测的参数时，采用了国际电工委员会（IEC）所规定的脉冲法进行测量，有效地避免了被测器件的发热所引起的参数漂移和被测器件的破坏。

技术指标：

（1）栅源截止电压VGS(off)：0～±12V
（2）栅源阈值电压VGS(th) ：0～±12V
（3）漏源短路时的栅源击穿电压V(BR)GSS：0～±1000V
（4）漏源击穿电压V(BR)DS：0～±1000V
（5）漏源短路时的栅极截止电流IGSS：1μA～100mA
（6）零栅压时的漏极电流IDSS：1μA～100mA
（7）静态漏源通态电阻RDS (on)）：0～1KΩ（VDS/ID）
（8）低频跨导gm：1mS～100S (VDS=12V,  ID=0～10A脉冲测试)