托马斯·塞伊斯（Thomas N. Theis）是位于纽约约克镇的IBM公司沃森（Watson）研究中心的科学家，他是一家工业财团半导体研究集团下属的纳米电子学研究创新计划的执行董事，他认为，使用了这类处理器的产品都需要用各自不同的方式来克服这些挑战。

　　加州大学伯克利分校的材料科学家莱恩·马丁（Lane Martin）目前领导这项新研究。他指出，铁电材料的一个主要优势在于，这种材料对于半导体产业来说并不是新生事物。富士通、德州仪器以及其他几家公司都已经制造出了铁电存储设备。

　　“我们只不过是将现有的这种材料进行升级，如果有公司想要采用它，它不会像新材料那样要十年才能实现规模化，”马丁这样说道。

　　马丁正与理论化学家安德鲁·瑞普（Andrew Rappe）共同合作在宾夕法尼亚大学进行建模并测试铁电体。

　　与硅晶体管一样，铁电元件可以在不同状态之间进行切换来表达信息。但是切换的物理特性与硅晶体管是完全不同的。铁电体不是在传导与绝缘状态之间切换，而是切换电极，即改变电荷在材料中的位置。

　　铁电材料具有天然的电极，可以通过电场来改变电极方向。到目前为止，切换只需要几纳秒，对于数据存储来说这已足够快了，但对于数据处理而言，这样的速度还是太慢，而这需要消耗相当多的能量。

　　瑞普预测，通过增大铁电晶体一定角度并从另一个角度施加电场，铁电材料的切换会发生改变。除了上下两极切换，还有一种瑞普称为“次状态”的中间状态。

　　马丁对用各种不同铁电材料制作的元件进行测试，包括锆钛酸铅。在测试中，当状态从上电极状切换到次状态再到下电极状态时，与从上电极直接切换到下电极相比，它展示出了更快的切换速度，而且只需要较低的电压。测试结果公布在了《Nature Materials》杂志上。

　　马丁指出，这种铁电材料的切换速度比常规设计至少快了两至三倍。

　　IBM的塞伊斯表示，这项测试研究的结果似乎表明了，我们对这些材料的了解取得了“非常重大的进步”。

　　马丁表示，他和瑞普希望，不仅仅局限于将铁电材料应用于存储设备上。他们的一个想法是，将这些铁电材料与硅材料进行结合，从而制造出新型晶体管。这种新设备将会高效节能，会将计算处理与存储结合为一体。

　　“如果发生断电现象，你可在电源恢复后继续原来的工作，这对于家庭用户而言十分便利，而且节省了数据中心的开支，”马丁这样说道。