近年来，随着科学技术及半导体工艺技术的发展，半导体器件的性能有了很大的提高。过去在杂志上介绍

各类新型集成电路较多，而分立器件则相对报导较少。实际上，最近几年就以双极型晶体管(以下简称三

极管)来讲开发出不少新产品，在性能上与老产品相比较有很大的改进：主要是减小功耗、增加输出电流

，并且提出崭新的参数概念。 

2005～2006年推出的ZXTN系列中功率NPN三极管。用该系列产品来更

换老型号的中功率三极管，不仅封装尺寸小，并且由于其功耗小，输出电流大，增加了输出功率，提高了

效率，并且可以简化散热措施。 

ZXTN系列的主要特点 

ZXTN系列有如下的型号：ZXTN19055DZ、ZXTN2005G、ZXTN2005Z、ZXTN2007G及ZXTN2007Z。这些中功率NPN

三极管的共同特点：工作电压范围宽，耐压为25～55V，适合大多数工业上应用的电压范围(5～24V)，个

别的可用于48V电压下工作；工作温度范围宽，从-55～ +150℃，可应用到温度条件恶劣的汽车工业，也

满足上的应用要求；的特点是饱和电压V CE(SAT) (或VCES)很低，在连续输出电流I C

(Cont)时，VCE(SAT)小于250mV，与一般老型号同类三极管相比较，减小了2～5倍；输出电流大，连续输

出电流可达5.5～7A；在输出大的集电极电流时，其共发射极直流电流放大系数hFE的特性极好；特征频率

fT高，可达140～150MHz(有的可达200MHz)，既适用于高频，也适用于低频或直流场合，应用十分灵活；

封装尺寸小，贴片式SOT-89(4.5mm×2.7mm)或SOT-223(6.5mm×3.5mm)封装。 

应用领域 

由于ZXTN系列有上述特点，它们的应用领域十分广泛，主要有：螺管线圈、继电器、功率开关、马达驱动

(包括直流风扇电机)、DC/DC转换器、LCD背光驱动电路、充电器电路、应急灯电路、汽车照明电路等。 

饱和电压V CE(SAT)低 

饱和电压V CE(SAT) (或用VCES表示)是三极管的重要参数之一。在三极管放大电路中，集电极(或发射极)

总接有负载(以RL表示)，如图1所示。当电源VCC一定时，IC增大时，相应的VCE必定减小，当VCE减小到一

定程度，IB再增大，IC也不再增加，此时三极管失去放大作用，这种状态称为三极管饱和，此时的VCE被

称为饱和电压降，用V CE(SAT)或VCES表示。饱和电压降V CE(SAT)与IC及IB有关，IC越大，则VCE(SAT)也

越大。