突破热电材料性能瓶颈!我国团队实现 SnSe 宽温域高效能量转换

发布时间:2026/1/5 14:45:00

2025 年 12 月 19 日,《Science》杂志重磅刊发一项热电能源材料领域的突破性成果 —— 北京航空航天大学团队牵头、太原科技大学团队参与的研究,通过扩展硒化锡(SnSe)Cmcm 相的温度稳定范围,实现了 ZT 值约 3.0 的宽温域优异热电性能,其搭建的 N 型 SnSe 单臂热电器件在 572K 温差下发电效率达 19.1%,为仪器设备领域的能量回收与热管理技术升级提供了核心材料支撑2e55a865-57de-4b95-9b8a-a7432997709d.png

热电材料的 “平衡难题”


能源利用效率是制约工业生产与高端装备发展的关键瓶颈 —— 据统计,人类社会使用的能量中超过 50% 以废热形式流失,从工业锅炉尾气到集成电路运行散热,这些未被利用的热能既是能源浪费,也可能引发设备过热、寿命缩短等问题。热电技术凭借 “热能 - 电能直接转换” 的独特优势,既能通过塞贝克效应实现温差发电,又能借助珀尔帖效应完成热电制冷,在深空探测电源、芯片热管理、工业废热回收等仪器设备场景中具有不可替代的价值。


然而,热电材料的转换效率由无量纲热电优值 ZT=(S2σ/κ) T 决定,其核心矛盾在于三大关键参数的 “耦合制约”:要获得大温差电压需提升塞贝克系数 S,要减少焦耳热损耗需提高电导率 σ,而要维持有效温差则需降低热导率 κ—— 这三个参数相互影响,长期以来难以同时优化,成为限制热电技术规模化应用的核心障碍。


Cmcm 相 SnSe 的 “2D 声子 / 3D 电荷” 协同优势


SnSe 的层状低对称晶体结构为解耦上述参数提供了突破口。此前研究多聚焦于低温稳定的 Pnma 相(<800K),而具有更高对称性的 Cmcm 相(>800K)因温度稳定范围窄,其热电潜力始终未被开发,且 N 型 SnSe 晶体面外方向的热电器件研究长期处于空白。


本研究精准瞄准这一空白,提出了 “高对称相固溶调控” 策略:通过大比例固溶立方相 PbSe,不仅将 Cmcm 相的温度稳定范围拓宽至 673~923K(覆盖中高温废热区间),更实现了 “2D 声子 / 3D 电荷” 的协同传输优化:


晶格对称性提升降低了晶体形变势,在显著增大态密度有效质量(md*)和载流子浓度(nH)的同时,优化了载流子迁移率(μH),让电荷以 “3D 传输” 模式高效迁移,解决了电导率与塞贝克系数的制衡难题;


Pb 元素的引入带来晶格应力并软化键合作用,大幅降低晶格热导率,同时增强 “2D 声子” 散射,有效维持了材料内部的温差梯度。


双重优化下,该材料在 673~923K 宽温域内平均 ZT 值达到 3.0,成为目前中高温区间热电性能最优的材料之一,而基于 N 型 SnSe 晶体搭建的热电器件,更实现了 19.1% 的发电效率,远超现有同类器件水平。


仪器设备行业的 “材料革新红利”


该成果不仅填补了 N 型 Cmcm 相 SnSe 热电研究的空白,更将为仪器设备行业带来多维度技术升级:


工业废热回收设备:宽温域适配性使其能匹配工业生产中 600~900K 的典型废热温度(如钢铁、化工行业尾气),可集成于废热回收模块,实现 “余热 - 电能” 的高效转换,降低设备能耗;


高端电子设备热管理:N 型 SnSe 的面外方向热电性能突破,为集成电路、功率器件的散热提供了新路径 —— 既可通过热电制冷精准控制芯片温度,又能将散热转化为电能回收利用,提升设备能效;


极端环境电源系统:在深空探测、极地科考等极端场景中,该材料的宽温域稳定性与高转换效率,可替代传统放射性同位素电源或太阳能电池,为探测仪器提供持续、可靠的能量供应。


此外,研究提出的 “高对称相扩展 + 晶格调控” 策略,为其他低对称热电材料的性能优化提供了通用范式,有望推动热电材料向 “宽温域、高 ZT 值、易规模化制备” 方向发展,降低热电模块的生产成本,加速其在仪器设备领域的商业化应用。


这项研究,不仅实现了 SnSe 热电材料的性能飞跃,更搭建了 “基础研究 - 材料制备 - 器件应用” 的完整技术链条。