LT-2型单晶少子寿命测试仪，该仪器用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
本仪器根据高频光电导衰退法的原理，由稳压电源、高频源、检波放大器，InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。
技　术　指　标 ：
 测试单晶电阻率范围  >2Ω.cm
 可测单晶少子寿命范围  5μS～7000μS
 配备光源类型  波长：1.09μm；余辉<1 μS；
 闪光频率为：20～30次／秒；
 高频振荡源  用石英谐振器，振荡频率：30MHz
 前置放大器  放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz
 仪器测量重复误差  <±20％
 测量方式  采用对标准曲线读数方式
 仪器消耗功率  <25W
 仪器工作条件  温度： 10-35℃、 湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz
 可测单晶尺寸  断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
 纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
 配用示波器  频宽0—20MHz；
 电压灵敏：10mV／cm；