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普通四探针方阻电阻率方法
发布时间：2019/6/4 8:53:00
规格型model | FT-331 | FT-332 | FT-333 | FT-334 | FT-335 | FT-336 |
1.方块电阻范围Sheet resistance | 10-5～2×105Ω/□ | 10-4～2×105Ω/□ | 10-3～2×105Ω/□ | 10-3～2×104Ω/□ | 10-2～2×105Ω/□ | 10-2～2×104Ω/□ |
2.电阻率范围Resistivity | 10-6～2×106Ω-cm | 10-5～2×106Ω-cm | 10-4～2×106Ω-cm | 10-4～2×105Ω-cm | 10-3～2×106Ω-cm | 10-3～2×105Ω-cm |
测试电流范围 Test current | 0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA | 10μA，100μA，1mA，10mA，100mA | 0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA | 10μA，100μA，1mA，10mA， 100mA | 0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA | 1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA |
4.电流 Current accura | ±0.1% | ±0.2% | ±0.2% | ±0.3% | ±0.3% | ±0.3% |
5.电阻Resistance | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.5% | ≤0.5% | ≤0.5% |
参照标准：
1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.
2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.
3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.
4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.