艾思荔半导体芯片高低温试验箱主要用于对产品按照国家标准要求或用户自定要求，在低温、高温、条件下，对产品的物理以及其他相关特性进行环境模拟测试，测试后，通过检测，来判断产品的性能，是否仍然能够符合预定要求，以便于产品设计、改进、鉴定及出厂检验用。箱体为整体结构形式，制冷系统位于箱体后下部，控制系统位于试验箱的上部。

半导体芯片高低温试验箱结构： 

1、工作室一端的风道夹层内，分布加热器、制冷蒸发器、风叶等装置；试验箱左侧设有Ф50电缆孔，试验箱为单开门。

2、箱门上设有观察窗、防霜装置及可开关控制的照明灯。观察窗采用多层中空钢化玻璃,内侧胶合片式导电膜加热除霜。照明灯采用进口品牌飞利浦灯管，可有效的方位观察工作室内的试验变化。

3、采用双层耐高温抗老化硅橡胶密封，可有效保证试验箱温度的流失

半导体芯片高低温试验箱技术参数：

波动度：±0.5℃

均匀度：±2℃

升温速率：3.0℃/min   ( 可按客户要求定做)

降温速率：0.7～1℃/min    (可按客户要求定做)

外箱材料：冷轧板静电喷塑/SUS304不锈钢（任选一种）

内箱材料：SUS304不锈钢板

保温材料：超细玻璃纤维保温棉/硬质聚胺脂发泡

箱门密封：双层耐高、低温防老化及硬化精制硅胶密封条

半导体芯片高低温试验箱温度范围

A型: 0℃～+100℃(+150℃)

B型: -20℃～+100℃(+150℃)

C型: -40℃～+100℃(+150℃)

D型: -70℃～+100℃(+150℃)  

半导体芯片高低温试验箱设备符合标准：

GB 10589 低温试验箱技术条件

GB 10592 半导体芯片高低温试验箱技术条件

GB 11158 高温试验箱技术条件

GB/T5170.2 电工电子产品环境试验设备基本参数检定方法 温度试验设备

GB2423.1 电工电子产品基本试验规程 试验A:低温试验方法

GB2423.2 电工电子产品基本试验规程 试验B:高温试验方法

GB2424.1 电工电子产品基本环境试验规程 高温低温试验导则

半导体芯片高低温试验箱温用途：

    半导体芯片高低温试验箱又名高低温循环试验箱主要是针对于电工、电子产品，以及其原器件，及其它材料在高温、低温的环境下贮存、运输、使用时的适应性试验。