产品详情

华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。深圳市华科智源科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件高端智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及SMT首件检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。

应用领域

A：测量多种IGBT、MOS管 

B：最大脉冲电流1200A，电压5KV，大功率测试

C：脉冲宽度 50uS~300uS

D：Vce测量精度2mV

E：Vce测量范围>10V F：电脑图形显示界面

G：智能保护被测量器件

H：上位机携带数据库功能

I：MOS IGBT内部二极管压降 

华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管等器件的V-I  特性测试 ， 广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电 ，变频器， 焊机行业的  IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。能够通过电脑操作完成IGBT 的静态参数测试；具体如下：
●ICES  集电极-发射极漏电流

●IGESF 正向栅极漏电流  IGESR 反向栅极漏电流
●BVCES 集电极-发射极击穿电压
●VGETH 栅极-发射极阈值电压
●VCESAT 集电极-发射极饱和电压
●ICON 通态电极电流
●VGEON 通态栅极电压
●VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

Vce-Ic特征曲线

Vgth-Vce特征曲线